IRF840STRR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF840STRR概述

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

表面贴装型 N 通道 500 V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）

得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

IRF840STRR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 125W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF840STRR

型号： IRF840STRR

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

替代型号IRF840STRR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF840STRR Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRF840AS Vishay Siliconix	类似代替	IRF840STRR和IRF840AS的区别
IRF840S 富鼎先进电子	功能相似	IRF840STRR和IRF840S的区别
IRF840SPBF Vishay Intertechnology	功能相似	IRF840STRR和IRF840SPBF的区别