IRFBF30SPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFBF30SPBF概述

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

N-Channel 900V 3.6A Tc 125W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

IRFBF30SPBF中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 3.60 A

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFBF30SPBF

型号： IRFBF30SPBF

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

替代型号IRFBF30SPBF