IRFIBE30G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFIBE30G概述

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

N-Channel 800V 2.1A Tc 35W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

IRFIBE30G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFIBE30G

型号： IRFIBE30G

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

替代型号IRFIBE30G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRFIBE30G Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRFIBE30GPBF Vishay Siliconix	类似代替	IRFIBE30G和IRFIBE30GPBF的区别

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