IRF644N参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF644N概述

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB

N-Channel 250V 14A Tc 150W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

IRF644N中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 14.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 21.0 ns

输入电容Ciss 1060pF @25VVds

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF644N

型号： IRF644N

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB

替代型号IRF644N

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF644N Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRF644NPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRF644N和IRF644NPBF的区别

型号/品牌

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Vishay Siliconix

完全替代