IRL640STRL参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRL640STRL概述

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

N-Channel 200V 17A Tc 3.1W Ta, 125W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRL640STRLPBF

IRL640STRL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 125W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRL640STRL

型号： IRL640STRL

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

替代型号IRL640STRL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRL640STRL Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRL640STRLPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRL640STRL和IRL640STRLPBF的区别
IRL640SPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRL640STRL和IRL640SPBF的区别
IRL640S Vishay Siliconix	完全替代	IRL640STRL和IRL640S的区别