IRF820STRR

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IRF820STRR概述

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

表面贴装型 N 通道 500 V 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF820SPBF


IRF820STRR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 360pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: IRF820STRR
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
替代型号IRF820STRR
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完全替代

IRF820STRR和IRF820SPBF的区别

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