IRF9Z24STRR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF9Z24STRR概述

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

P-Channel 60V 11A Tc 3.7W Ta, 60W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z24STRRPBF

IRF9Z24STRR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.7W Ta, 60W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 570pF @25VVds

额定功率Max 3.7 W

耗散功率Max 3.7W Ta, 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF9Z24STRR

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK