IRF510S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF510S概述

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

N-Channel 100 V 5.6A Tc 3.7W Ta, 43W Tc Surface Mount D²PAK TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

贸泽:
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp

IRF510S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.7W Ta, 43W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 180pF @25VVds

耗散功率Max 3.7W Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF510S

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

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