IRFBC30S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFBC30S概述

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

N-Channel 600V 3.6A Tc 3.1W Ta, 74W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

IRFBC30S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 660pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFBC30S

型号： IRFBC30S

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

替代型号IRFBC30S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRFBC30S Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRFBC30SPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRFBC30S和IRFBC30SPBF的区别
IRFBC30STRLPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRFBC30S和IRFBC30STRLPBF的区别
IRFBC30STRL Vishay Siliconix	完全替代	IRFBC30S和IRFBC30STRL的区别