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IRF634S图片1

IRF634S概述

MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK

表面贴装型 N 通道 250 V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK

IRF634S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 250 V

输入电容Ciss 770pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF634S

型号： IRF634S

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK

替代型号IRF634S

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRF634S

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

IRF634SPBF

Vishay Siliconix

完全替代

IRF634S和IRF634SPBF的区别

SIHF634S-GE3

Vishay Siliconix

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