IRFBF20S参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFBF20S概述

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

N-Channel 900 V 1.7A Tc 3.1W Ta, 54W Tc Surface Mount D²PAK TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20SPBF

IRFBF20S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 54W Tc

漏源极电压Vds 900 V

输入电容Ciss 490pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 54W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFBF20S

型号： IRFBF20S

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

替代型号IRFBF20S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRFBF20S Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRFBF20SPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRFBF20S和IRFBF20SPBF的区别
FQB2N90 飞兆/仙童	功能相似	IRFBF20S和FQB2N90的区别
IRFBF20STRLPBF Vishay Intertechnology	功能相似	IRFBF20S和IRFBF20STRLPBF的区别