IRFD010

IRFD010图片1
IRFD010概述

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP

通孔 N 通道 50 V 1.7A(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP


得捷:
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD010PBF


IRFD010中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1W Tc

漏源极电压Vds 50 V

输入电容Ciss 250pF @25VVds

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 HVMDIP-4

外形尺寸

封装 HVMDIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFD010
型号: IRFD010
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
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