IDT70T659S12BFI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IDT70T659S12BFI中文资料参数规格

技术参数

电源电压 2.4V ~ 2.6V

封装参数

封装 FBGA-208

外形尺寸

封装 FBGA-208

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

在线购买IDT70T659S12BFI

型号： IDT70T659S12BFI

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：HIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

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替代型号IDT70T659S12BFI

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