IPC100N04S51R2ATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.8 V
Summary of Features:
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- OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
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- N-channel - Enhancement mode - Normal Level
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- AEC Q101 qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green Product RoHS compliant
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- 100% Avalanche tested
IPC100N04S51R2ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.001 Ω
极性 N-CH
耗散功率 150 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 7650pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPC100N04S51R2ATMA1
替代型号IPC100N04S51R2ATMA1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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