晶体管, MOSFET, N沟道, 15.1 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
输出接口数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.36 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 118 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 15.1A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 8 ns
下降时间Max 8 ns
上升时间Max 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅