Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CEAUMA1, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET CONSUMER
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 / N-Channel 600 V 2.3A Tc 38W Tc Surface Mount PG-TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 1.8 Ω
极性 N-CH
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.7A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 140pF @100VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 38W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R2K1CEBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD60R2K1CEAUMA1和IPD60R2K1CEBTMA1的区别 |