IRFI830G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFI830G概述

Mosfet n-Ch 500V 3.1A To220fp

N-Channel 500V 3.1A Tc 35W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP

IRFI830G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 610pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFI830G

型号： IRFI830G

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet n-Ch 500V 3.1A To220fp

替代型号IRFI830G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRFI830G

Vishay Siliconix

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