IPB100N12S305ATMA1概述
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R
表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
得捷:
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
欧时:
INFINEON MOSFET IPB100N12S305ATMA1
贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 100+
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
IPB100N12S305ATMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 120 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 11570pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPB100N12S305ATMA1
型号： IPB100N12S305ATMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R