晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 129 A, 135 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V
Benefits:
得捷:
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
立创商城:
IRF135S203
欧时:
MOSFET StrongIRFET N-Ch 135V 129A D2PAK
e络盟:
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 129 A, 135 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.0067 Ω
极性 N-CH
耗散功率 441 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 135 V
连续漏极电流Ids 129A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 9700pF @50VVds
下降时间 81 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 441W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅