IRF135S203

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IRF135S203概述

晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 129 A, 135 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V

Benefits:

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Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
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Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
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Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
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Lead-Free, RoHS Compliant, Halogen-Free

得捷:
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3


立创商城:
IRF135S203


欧时:
MOSFET StrongIRFET N-Ch 135V 129A D2PAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 129 A, 135 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IRF135S203中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 N-CH

耗散功率 441 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 135 V

连续漏极电流Ids 129A

上升时间 73 ns

输入电容Ciss 9700pF @50VVds

下降时间 81 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 441W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IRF135S203
描述:晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 129 A, 135 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V

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