IXFH270N06T3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH270N06T3概述

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO247; 37ns

通孔 N 通道 60 V 270A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 270A TO247

贸泽:
MOSFET 60V/270A TrenchT3

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO247; 37ns

IXFH270N06T3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.1 mΩ

耗散功率 480 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 12600pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IXFH270N06T3

型号： IXFH270N06T3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO247; 37ns