IPB160N04S2L03ATMA2概述
MOS Power Transistors LV < 200V
表面贴装型 N 通道 40 V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
得捷:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
艾睿:
OptiMOS - T Power-Transistor
安富利:
MOS Power Transistors LV < 200V
IPB160N04S2L03ATMA2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 6000pF @15VVds
下降时间 30 ns
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
外形尺寸
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec, Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
在线购买IPB160N04S2L03ATMA2