IXFP220N06T3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFP220N06T3概述

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns

N-Channel 60V 220A Tc 440W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB

贸泽:
MOSFET 60V/220A TrenchT3

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns

IXFP220N06T3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4 mΩ

耗散功率 440 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 8500pF @25VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 440W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IXFP220N06T3

型号： IXFP220N06T3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns