IXTN660N04T4概述
Trans MOSFET N-CH 40V 660A 4Pin SOT-227B Tube
N-Channel 40V 660A Tc 1040W Tc Chassis Mount SOT-227B
得捷:
MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
贸泽:
MOSFET 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 660A 4-Pin SOT-227B Tube
Win Source:
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
IXTN660N04T4中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 850 mΩ
耗散功率 1.04 kW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 430 ns
反向恢复时间 60 ns
正向电压Max 1.4 V
输入电容Ciss 44000pF @25VVds
下降时间 260 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IXTN660N04T4