IXFH16N60P3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH16N60P3概述

N-CH 600V 16A

通孔 N 通道 600 V 16A（Tc） 347W（Tc） TO-247（IXTH）

得捷:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247 / N-Channel 600 V 16A Tc 347W Tc Through Hole TO-247 IXTH

IXFH16N60P3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 347W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1830pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 347W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IXFH16N60P3

型号： IXFH16N60P3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N-CH 600V 16A

替代型号IXFH16N60P3