Power Field Effect Transistor
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDSon = 3 OHM 450 and 500 VOLTS
rDSon = 4 OHM 450 VOLTS
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF821 Motorola 摩托罗拉 | 当前型号 | 当前型号 |
STP4NB50 意法半导体 | 功能相似 | IRF821和STP4NB50的区别 |
IRF820 意法半导体 | 功能相似 | IRF821和IRF820的区别 |
BUZ74 英飞凌 | 功能相似 | IRF821和BUZ74的区别 |