IPD50N06S2L-13概述
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
Summary of Features:
N-channel Logic Level - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green package lead free
• Ultra low Rdson
• 100% Avalanche tested
Benefits:
- .
- world"s lowest RDS at 55V on in planar technology
- .
- highest current capability
- .
- lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
- .
- robust packages with superior quality and reliability
- .
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD50N06S2L-13中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 10.2 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 136 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD50N06S2L-13