IMD2AT110

IMD2AT110中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMT

外形尺寸

封装 SMT

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: IMD2AT110
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:通用(双数字晶体管) General purpose dual digital transistors

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