IPB096N03LG参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPB096N03LG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 42000 mW

上升时间 3.2 ns

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPB096N03LG

型号： IPB096N03LG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

替代型号IPB096N03LG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPB096N03LG Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPD090N03LGATMA1 英飞凌	功能相似	IPB096N03LG和IPD090N03LGATMA1的区别
IRLR8729PBF 英飞凌	功能相似	IPB096N03LG和IRLR8729PBF的区别
IPB080N03LGATMA1 英飞凌	功能相似	IPB096N03LG和IPB080N03LGATMA1的区别