ISL9N308AD3

ISL9N308AD3图片1
ISL9N308AD3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISL9N308AD3
型号: ISL9N308AD3
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V , 50A , 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз
替代型号ISL9N308AD3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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