ISL9N327AD3ST

ISL9N327AD3ST中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 40 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISL9N327AD3ST
型号: ISL9N327AD3ST
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
替代型号ISL9N327AD3ST
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