IRLD014参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRLD014概述

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

N-Channel 60V 1.7A Ta 1.3W Ta Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

得捷:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

IRLD014中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.3W Ta

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 400pF @25VVds

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-4

外形尺寸

封装 DIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRLD014

型号： IRLD014

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

替代型号IRLD014

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRLD014 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRLD014PBF Vishay Siliconix	类似代替	IRLD014和IRLD014PBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRLD014

Vishay Siliconix

当前型号

IRLD014PBF

Vishay Siliconix

类似代替