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IRFBF20L概述

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

通孔 N 通道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK

IRFBF20L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 1.70 A

耗散功率 3.1W Ta, 54W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

上升时间 21.0 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 54W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFBF20L

型号： IRFBF20L

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

替代型号IRFBF20L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRFBF20L Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRFBF20LPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRFBF20L和IRFBF20LPBF的区别
FQI2N90TU 飞兆/仙童	功能相似	IRFBF20L和FQI2N90TU的区别
FQI2N90 飞兆/仙童	功能相似	IRFBF20L和FQI2N90的区别