IRL630STRL参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRL630STRL概述

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

表面贴装型 N 通道 200 V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D²PAK（TO-263）

得捷:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRL630STRLPBF

IRL630STRL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

额定功率Max 3.1 W

耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRL630STRL

型号： IRL630STRL

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK