MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
表面贴装型 N 通道 60 V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp
额定电压DC 60.0 V
额定电流 10.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 3.7W Ta, 43W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0V min
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 3.7 W
耗散功率Max 3.7W Ta, 43W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLZ14S Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
IRLZ14SPBF Vishay Siliconix | 完全替代 | IRLZ14S和IRLZ14SPBF的区别 |
IRLZ14STRRPBF Vishay Siliconix | 完全替代 | IRLZ14S和IRLZ14STRRPBF的区别 |