IS42RM32400G-6BLI

IS42RM32400G-6BLI图片1
IS42RM32400G-6BLI图片2
IS42RM32400G-6BLI图片3
IS42RM32400G-6BLI概述

动态随机存取存储器 128M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 90-Pin TFBGA


IS42RM32400G-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM32400G-6BLI
型号: IS42RM32400G-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 128M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT
替代型号IS42RM32400G-6BLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42RM32400G-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42RM32400H-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS42RM32400G-6BLI和IS42RM32400H-6BLI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台