IRFSL9N60A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFSL9N60A概述

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

N-Channel 600V 9.2A Tc 170W Tc Through Hole TO-262-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3

IRFSL9N60A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 170W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFSL9N60A

型号： IRFSL9N60A

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

替代型号IRFSL9N60A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRFSL9N60A Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRFSL9N60APBF Vishay Siliconix	类似代替	IRFSL9N60A和IRFSL9N60APBF的区别
SPI07N60C3 英飞凌	功能相似	IRFSL9N60A和SPI07N60C3的区别
IRF830ALPBF Vishay Siliconix	功能相似	IRFSL9N60A和IRF830ALPBF的区别