MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
表面贴装型 N 通道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
额定电压DC 200 V
额定电流 9.00 A
极性 N-Channel
耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 57.0 ns
输入电容Ciss 1100pF @25VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRL630S Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
IRL630SPBF Vishay Siliconix | 完全替代 | IRL630S和IRL630SPBF的区别 |
IRL630STRLPBF Vishay Siliconix | 类似代替 | IRL630S和IRL630STRLPBF的区别 |