IRFS11N50A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFS11N50A概述

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

N-Channel 500 V 11A Tc 170W Tc Surface Mount D²PAK TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS11N50APBF

IRFS11N50A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 170W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 1423pF @25VVds

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFS11N50A

型号： IRFS11N50A

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

替代型号IRFS11N50A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRFS11N50A Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRFS11N50APBF Vishay Siliconix	完全替代	IRFS11N50A和IRFS11N50APBF的区别
IRFS11N50ATRLP Vishay Siliconix	完全替代	IRFS11N50A和IRFS11N50ATRLP的区别
IRFS11N50ATRR Vishay Siliconix	完全替代	IRFS11N50A和IRFS11N50ATRR的区别