IRF610L参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF610L概述

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

N-Channel 200V 3.3A Tc 3W Ta, 36W Tc Through Hole TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262

IRF610L中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3W Ta, 36W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 140pF @25VVds

额定功率Max 3 W

耗散功率Max 3W Ta, 36W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF610L

型号： IRF610L

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

替代型号IRF610L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF610L Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRF610LPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRF610L和IRF610LPBF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRF610L

Vishay Siliconix

当前型号

IRF610LPBF

Vishay Siliconix

完全替代