IPS70R360P7SAKMA1

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IPS70R360P7SAKMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 700 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 12.5A(Tc) 59.5W(Tc) PG-TO251-3


得捷:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3


欧时:
Infineon MOSFET IPS70R360P7SAKMA1


立创商城:
N沟道 700V 12.5A


贸泽:
MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 700 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
650V and 700V CoolMOS N-Channel Power MOSFET


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL


IPS70R360P7SAKMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.3 Ω

耗散功率 59.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 517pF @400VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 59.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Aux power

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPS70R360P7SAKMA1
型号: IPS70R360P7SAKMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 700 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V

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