晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 700 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
通孔 N 通道 12.5A(Tc) 59.5W(Tc) PG-TO251-3
得捷:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
欧时:
Infineon MOSFET IPS70R360P7SAKMA1
立创商城:
N沟道 700V 12.5A
贸泽:
MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 700 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
安富利:
650V and 700V CoolMOS N-Channel Power MOSFET
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
耗散功率 59.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 700 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 517pF @400VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 59.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 Aux power
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅