ISC1210SY8R2J参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISC1210SY8R2J概述

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 8.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 195mA 1210 T/R

8.2 µH 屏蔽绕线器 195 mA 1.65 欧姆最大 1210（3225 公制）

得捷:
FIXED IND 8.2UH 195MA 1.65OHM SM

贸泽:
Fixed Inductors ISC-1210 8.2 5% R98

ISC1210SY8R2J中文资料参数规格

技术参数

额定电流 195 mA

容差 ±5 %

自谐频率 35 MHz

测试频率 7.96 MHz

电阻DC） ≤1.65 Ω

电阻DC Max 15 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买ISC1210SY8R2J

型号： ISC1210SY8R2J

制造商： Vishay Dale 威世达勒

描述：Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 8.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 195mA 1210 T/R