ISC1812ESR82M参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISC1812ESR82M概述

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 820nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 242mA 1812 T/R

820 nH 屏蔽绕线器 271 mA 950 毫欧最大 1812（4532 公制）

得捷:
FIXED IND 820NH 271MA 950MOHM SM

ISC1812ESR82M中文资料参数规格

技术参数

额定电流 271 mA

容差 ±20 %

电感 820 nH

自谐频率 165 MHz

Q值 30.0

测试频率 25.2 MHz

电阻DC） ≤950 mΩ

电阻DC Max 1.2 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 4532

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

高度 3.4 mm

封装公制 4532

封装 1812

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISC1812ESR82M

型号： ISC1812ESR82M

制造商： Vishay Dale 威世达勒

描述：Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 820nH 20% 25.2MHz 30Q-Factor 242mA 1812 T/R