IRF7832参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF7832概述

SOIC N-CH 30V 20A

Benefits:

Win Source:
HEXFET Power MOSFET

IRF7832中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 20.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.50 W

产品系列 IRF7832

漏源极电压Vds 30.0 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 12.3 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7832

型号： IRF7832

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 30V 20A

替代型号IRF7832