晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.129 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 17A(Tc) 106W(Tc) PG-HSOF-8-2
欧时:
Infineon IPT60R150G7XTMA1
立创商城:
N沟道 650V 17A
得捷:
MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF
贸泽:
MOSFET HIGH POWER NEW
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.129 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF / N-Channel 650 V 17A Tc 106W Tc Surface Mount PG-HSOF-8-2
针脚数 8
漏源极电阻 0.129 Ω
耗散功率 106 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 902pF @400VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 106W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
封装 PG-HSOF-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Telecom, Industrial SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅