IPT60R125G7XTMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8-2
得捷:
MOSFET N-CH 650V 20A 8HSOF
立创商城:
N沟道 650V 20A
贸泽:
MOSFET HIGH POWER NEW
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
安富利:
Trans MOSFET N 650V 20A 8-Pin HSOF T/R
IPT60R125G7XTMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 108 mΩ
耗散功率 120 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1080pF @400VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Industrial SMPS, Telecom
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPT60R125G7XTMA1