IPT60R028G7XTMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 600 V, 0.024 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 600 V 75A（Tc） 391W（Tc） PG-HSOF-8-2
欧时:
Infineon IPT60R028G7XTMA1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
立创商城:
N沟道 600V 75A
贸泽:
MOSFET HIGH POWER NEW
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 600 V, 0.024 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF / N-Channel 600 V 75A Tc 391W Tc Surface Mount PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.024 Ω
耗散功率 391 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 4820pF @400VVds
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 391000 mW
封装参数
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Server, Telecom, Industrial SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPT60R028G7XTMA1引脚图与封装图 
在线购买IPT60R028G7XTMA1