IXFK55N50F

IXFK55N50F中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 85 mΩ

耗散功率 560 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 6700pF @25VVds

下降时间 9.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFK55N50F
型号: IXFK55N50F
制造商: IXYS Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 500V 55A TO264

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