IPT111N20NFDATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 200 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 200 V 96A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
欧时:
Infineon MOSFET IPT111N20NFDATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
立创商城:
N沟道 200V 96A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 96A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R
安富利:
DIFFERENTIATED MOSFETS
IPT111N20NFDATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-CH
耗散功率 375 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 96A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 5300pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375000 mW
封装参数
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Telecom, Point-of-load POL
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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