IPT111N20NFDATMA1

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IPT111N20NFDATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 200 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 200 V 96A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1


欧时:
Infineon MOSFET IPT111N20NFDATMA1


得捷:
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF


立创商城:
N沟道 200V 96A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 96A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R


安富利:
DIFFERENTIATED MOSFETS


IPT111N20NFDATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-CH

耗散功率 375 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 96A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 5300pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

引脚数 9

封装 PG-HSOF-8

外形尺寸

封装 PG-HSOF-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Telecom, Point-of-load POL

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IPT111N20NFDATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 200 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V

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