晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V
表面贴装型 N 通道 80 V 12.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
得捷:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
欧时:
Infineon MOSFET IRL80HS120
立创商城:
IRL80HS120
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
安富利:
Trans MOSFET 80V 12.5A 7-Pin PQFN T/R 4k
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5.8W; PQFN2X2
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN / N-Channel 80 V 12.5A Tc 11.5W Tc Surface Mount 6-PQFN 2x2
针脚数 6
漏源极电阻 0.025 Ω
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 540pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 11.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 PG-TSDSON-6
封装 PG-TSDSON-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free