IRL80HS120

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IRL80HS120概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V

表面贴装型 N 通道 80 V 12.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)


得捷:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN


欧时:
Infineon MOSFET IRL80HS120


立创商城:
IRL80HS120


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET 80V 12.5A 7-Pin PQFN T/R 4k


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5.8W; PQFN2X2


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN / N-Channel 80 V 12.5A Tc 11.5W Tc Surface Mount 6-PQFN 2x2


IRL80HS120中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.025 Ω

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 11.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PG-TSDSON-6

外形尺寸

封装 PG-TSDSON-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRL80HS120
型号: IRL80HS120
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V

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