IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV图片1
IXTA08N100D2HV概述

N沟道 1kV 800mA

N-Channel 1000V 800mA Tj 60W Tc Surface Mount TO-263HV


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV


立创商城:
N沟道 1kV 800mA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin2+Tab TO-263HV


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin2+Tab TO-263HV


IXTA08N100D2HV中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 60 W

上升时间 57 ns

输入电容Ciss 325pF @25VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA08N100D2HV
型号: IXTA08N100D2HV
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 1kV 800mA

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